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然而，国各格石墨烯与其他二维材料构建的异质结由于其界面处光生载流子的复合作用，其在零偏压下光伏效应往往受到明显抑制，从而影响其光电性能。（c，地电电价电d）零偏压下MoS2/graphene光电二极管和MoS2 /h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的能带示意图（e，地电电价电f）负偏压下MoS2 /graphene光电二极管和MoS2/h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的能带示意图分别表示载流子漂移，层间耦合和载流子隧穿图3用荧光光谱证明界面处的层间耦合及h-BN插层对该层间耦合的阻挡效应单层MoS2，单层MoS2/h-BN/graphene三层结构和单层MoS2/graphene异质结的光致发光光谱的对比。
因此，网企通过器件结构设计，如何提升该异质结在零偏压下的光伏电流具有非常重要的研究意义。理购此方法可使多层MoS2/Graphene异质结的短路光电流增加超过三个数量级。入射光能量均为2.32μW，布附表波长为532nm）。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，月全业代投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。【图文简介】图1 MoS2/h-BN/Graphene器件的制备过程及拉曼光谱表征（a）MoS2/h-BN/Graphene异质结器件的制备过程（b）MoS2/h-BN/Graphene异质结器件示意图（c）Graphene和h-bn/Graphene异质结的拉曼特征光谱图2MoS2/h-BN/graphene器件与MoS2/graphene光电二极管的性能对比与能带分析（a，国各格b）MoS2 /graphene光电二极管和MoS2/h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的IDS-VDS传输曲线的对数图（插图显示相应的线性图。
【小结】综上所述，地电电价电作者发现MoS2/graphene光电二极管中的零偏置光电流的损失源于界面处光生载流子的层间耦合，地电电价电而单层h-BN的插入可以有效地阻挡层间耦合并因此恢复其光伏效应。
网企（d）栅极电压为零时器件的光响应度与偏置电压的关系自2003年成立开始，理购海盗湾就被全世界版权组织视为眼中钉、肉中刺，被重重围剿。
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