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该项研究成果以PIM-1asaMultifunctionalFrameworktoEnableHigh-PerformanceSolid-StateLithium–SulfurBatteries为题,北京被颠发表在Adv.Funct.Mater上。

利用从Cu(111)表面扩散到Cu(111)-Al2O3(0001)界面的碳原子,什水平观在Cu(111)-Al2O3(0001)界面生长石墨烯。微博HR-TEM图像显示在直径为3毫米的样品的不同位置获得的选定区域电子衍射图案的晶格取向表明生长的石墨烯具有高度一致的单晶结构(图3h)。

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感觉ID/IG比的均匀拉曼图表明石墨烯中几乎不存在缺陷(图2c)。利用快速冷却再快速加热促使Cu(111)薄膜的剥离,北京被颠而将单晶石墨烯保留在Al2O3(0001)上。Cu(110)、什水平观Cu(100)和Cu(111)的每个Cu原子的堆积能分别为0.98、1.33和2.09eV,表明Cu(111)的生成在能量上是有利的(图4a、b)。

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直接在Al2O3衬底上生长的石墨烯的电子迁移率平均值为6.6×103cm2V-1s-1,微博最大值达到7.4×103cm2V-1s-1。模型表面,感觉石墨烯在Cu(111)-Al2O3(0001)界面处生长的可行性(图4d)。

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与转移石墨烯相比,北京被颠生长在Al2O3上的石墨烯的2D峰出现蓝移(图2e),揭示了石墨烯与Al2O3的相互耦合作用。

什水平观图5GFET的电子传输特性©2022SpringerNature【总结】本文展示了在蓝宝石衬底上合成无层超平面晶圆级单层单晶石墨烯。(c) NaBH4、微博Na(BH4)0.75I0.25、Na(NH2)0.5I0.5和Na(BH4)0.5(NH2)0.5的电导率与温度的关系。

在超过Ttrans时会发生有序-无序的相变,感觉高温相中高度无序的聚阴离子网络结构加上富含空位的阳离子亚晶格,感觉使得这些盐展现出极高的阳离子导电性(图4d)。Ttrans对于利用paddle-wheel机制、北京被颠在较低温度下实现高离子电导率至关重要。

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